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HMC611LP4/HMC611LP4E功率監控對數檢波器 ADI代理現貨

2018-07-09 13:57:07

HMC611LP4(E)對數檢波器/控制器將輸入端的RF信號轉換為輸出端成正比的DC電壓。HMC611LP4(E)利用連續壓縮拓撲結構，提供寬輸入頻率范圍內的極高動態范圍和轉換精度。隨著輸入功率增加，連續放大器逐漸進入飽和，從而生成精確的對數函數近似值。

HMC713LP3ETR/HMC713LP3E對數檢波器/控制器 ADI現貨

2018-07-09 12:01:46

HMC713LP3E對數檢波器/控制器非常適合將RF信號（50 MHz至8000 MHz頻率范圍內）的功率在輸出端轉換為與輸入功率成正比的直流電壓。 HMC713LP3E采用連續壓縮技術，可在寬輸入頻率范圍內提供具有高測量精度的54 dB動態范圍。

HMC1021LP4E/HMC1021LP4ETR集成高帶寬包絡檢波器的RMS功率檢波器 ADI現貨

2018-07-09 11:52:03

HMC1021LP4E是一款集成高帶寬包絡檢波器的RMS功率檢波器。RMS輸出為溫度補償式、單調、線性dB表示的RF實信號功率，采用70 dB的輸入檢測范圍測量。

HMC1020LP4E/HMC1020LP4ETR寬帶功率檢波器 ADI現貨

2018-07-09 11:48:25

HMC1020LP4E功率檢波器設計用于RF功率測量和頻率高達3.9 GHz.的控制應用。 該檢波器提供精確的任何寬帶、單端RF/IF輸入信號均方根表示。 輸出為溫度補償式、單調表示實信號功率，采用72 dB的輸入檢測范圍測量。

HMC500LP3E/HMC500LP3ETR無線基礎設施矢量調制器 ADI現貨

2018-07-09 11:28:03

HMC500LP3(E)是一款高動態范圍的矢量調制器RFIC，用于RF預失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續改變RF信號的相位和幅度

HMC6300BG46毫米波發射器集成電路頻率57 GHz至64 GHz ADI現貨

2018-07-09 11:14:33

HMC6300BG46是一款完整的毫米波發射器集成電路，采用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝，工作頻率范圍為57 GHz至64 GHz，調制帶寬高達1.8 GHz。

HMC630LP3E/HMC630LP3ETR高動態范圍矢量調制器RFIC ADI現貨代理商

2018-07-09 10:55:44

HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態范圍矢量調制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續改變RF信號的相位和幅度

NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管 MACOM現貨

2018-07-09 10:47:46

NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管， 針對DC-4000MHz的寬帶操作進行了優化，14 - 28V的高效率，對于負載牽引數據和非線性模型，若您有任何疑問，請聯系我們立維創展，我們會盡最大努力為您服務。 ?

NPT2021國防應用寬帶晶體管L波段雷達 MACOM代理商現貨熱銷

2018-07-09 10:35:31

NPT2021 GaN HEMT是一款寬帶晶體管，針對DC-2.5 GHz工作進行了優化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為45 W，采用工業標準塑料封裝，帶螺栓法蘭。

NPT2010 航空航天脈沖和線性寬帶晶體管 MACOM現貨

2018-07-09 10:26:06

NPT2010 GaN HEMT是一款針對DC-2.2 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續波，脈沖和線性工作，輸出功率為100W（50 dBm），采用工業標準金屬陶瓷封裝，帶螺栓法蘭。

NPT1010B氮化鎵氮氣28伏100W射頻功率晶體 MACOM現貨

2018-07-09 10:11:02

NPT1010B氮化鎵氮氣28伏，100W射頻功率晶體管使用SigaNIC?NFR1工藝建造-專有的氮化鎵硅技術不推薦用于新的應用。 若您有任何疑問，請聯系我們立維創展，我們會盡最大努力為您服務。?

NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續波功率 MACOM現貨

2018-07-09 09:42:42

NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續波功率，優勢和特點有CW、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100～-2500兆赫其他應用的優化，高可靠性金金屬化工藝，熱增強工業標準封裝，100%射頻測試等

NPT2022寬帶晶體管HF/UHF/L/S波段雷達 MACOM現貨代理商

2018-07-09 09:28:38

NPT2022 GaN HEMT是一種寬帶晶體管，針對DC-2 GHz工作進行了優化。該器件支持CW，脈沖和線性工作，輸出功率為100 W（50 dBm），采用行業標準塑料封裝。NPT2022非常適用于國防通信，陸地移動無線電，航空電子設備，無線基礎設施，ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。

NPA1003QA寬帶功率放大器 VHF/UHF/L波段雷達 MACOM現貨

2018-07-09 09:18:19

NPA1003QA是一款寬帶，內部匹配的GaN MMIC功率放大器，針對20-1500 MHz工作進行了優化。該器件設計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率超過5W（37 dBm），采用工業標準表面貼裝QFN4X4-16塑料封裝。

MAGX-011086高寬帶晶體管頻率DC-6 GHz MACOM代理商現貨

2018-07-09 09:10:27

MAGx-011086 GaN HEMT是一款寬帶晶體管，針對DC-6 GHz工作進行了優化，采用用戶友好型封裝，是高帶寬應用的理想選擇。該器件設計用于CW，脈沖和線性工作，輸出功率為5W（37 dBm），采用工業標準，低電感，表面貼裝QFN4X4-24塑料封裝。

HMC649ALP6E/HMC649ALP6ETR軍用6位數字移相器芯片 ADI現貨

2018-07-06 17:16:17

components.HMC649A是一款6位數字移相器芯片，額定頻率范圍為3 GHz至6 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC649A在所有相態具有3度的低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。

HMC647ALP6E/HMC647ALP6ETR衛星通信6位數字移相器 ADI現貨

2018-07-06 16:57:02

HMC647ALP6E是一款6位數字移相器，額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。

HMC642ALC5/HMC642ALC5TR軍用雷達6位數字移相器芯片 ADI現貨

2018-07-06 16:54:24

HMC642A是一款6位數字移相器芯片，額定頻率范圍為9 GHz至12.5 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC642A在所有相態具有2.5度至3.5度的極低RMS相位誤差及±0.25 dB至±0.4 dB的極低插入損耗變化。

HMC648ALP6E/HMC648ALP6ETR數字移相器芯片 ADI現貨

2018-07-06 16:26:28

HMC648A是一款6位數字移相器芯片，額定頻率范圍為2.9 GHz至3.9 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC648A在所有相態具有1.2度至1.5度的極低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。

HMC264LM3/HMC264LM3TR微波集成LO放大器混頻器 ADI現貨

2018-07-06 16:16:06

HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器，采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在25至35 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V至+4V）雙級設計，僅需-4 dBm的驅動。

HMC265LM3/HMC265LM3TR點對點無線電下變頻器 ADI現貨

2018-07-06 15:50:11

HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器下變頻器，采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在28至47 dB時，2LO至RF和IF隔離性能出色，無需額外濾波。

HMC337/HMC337-SX微波無線電混頻器芯片 ADI現貨

2018-07-06 15:47:43

HMC337芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術，芯片整體面積為1.28mm2。 2 LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。

HMC338LC3B/HMC338LC3BTR軍用集成LO混頻器 ADI現貨

2018-07-06 15:36:46

HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 在30 dB時，2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V到+4V）設計，需-5 dBm的標稱驅動

HMC339/HMC339-S放大器X芯片次諧波混頻器 ADI現貨

2018-07-06 13:54:32

HMC339芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術，芯片整體面積為1.07mm2。 2LO至RF隔離性能出色，無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置（+3V至+4V）雙級設計，僅需+2 dBm的標稱驅動。

HMC404/HMC404-SX集成LO放大器芯片 ADI現貨

2018-07-06 13:51:03

HMC404芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC鏡像抑制混頻器，可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術，芯片整體面積為2.31mm2。 片內90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能，鏡像抑制大于22 dB。

HMC689LP4E/HMC689LP4ETR基站和中繼器混頻器 ADI現貨

2018-07-05 11:45:09

HMC689LP4(E)是一款高動態范圍無源MMIC混頻器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率為2.0 - 2.7 GHz。 LO驅動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應用可以獲得+32 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。

HMC685LP4E/HMC685LP4ETR高動態范圍集成LO放大器 ADI現貨

2018-07-05 11:41:27

HMC685LP4(E)是一款高動態范圍無源MMIC混頻器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 LO驅動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應用可以獲得+32 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。 采用1 dB (+27 dBm)壓縮時，RF端口支持各種輸入信號電平

HMC683LP6CE/HMC683LP6CETR高通道隔離雙通道下變頻器 ADI現貨

2018-07-05 11:08:07

HMC683LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封裝，工作頻率為0.7 - 1.0 GHz。 LO驅動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA應用可以獲得+23 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。

HMC682LP6CE/HMC682LP6CETR高線性度下變頻器 ADI現貨

2018-07-05 10:57:04

HMC682LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器，集成LO放大器，采用6x6 SMT QFN封裝，工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 該器件針對3G和4G GSM/CDMA應用提供+25 dBm的出色輸入IP3性能以進行下變頻，LO驅動為0 dBm。

HMC666LP4E/HMC666LP4ETR高動態范圍無源MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-05 10:48:57

HMC666LP4(E)是一款高動態范圍無源MMIC混頻器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率為3.1 - 3.9 GHz。 HMC666LP4(E)與HMC688LP4(E)引腳兼容，后者是一款2.0 - 2.7 GHz混頻器，集成LO放大器。