MRF421高功率線性放大器射頻功率晶體管主要設(shè)計(jì)用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器。100%測(cè)試所有相位天使的負(fù)載不匹配,具有30:1的VSWR, MACOM代理商現(xiàn)貨
PH2226-110M射頻功率晶體管陶瓷封裝,NPN硅微波功率晶體管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn), 擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器,金金屬化系統(tǒng),MACOM代理商現(xiàn)貨出售
MACOM現(xiàn)貨代理商的MRF392主要設(shè)計(jì)用于30至500 MHz頻率范圍內(nèi)的寬帶大信號(hào)輸出和驅(qū)動(dòng)放大器級(jí)。指定的28 V,400 MHz特性:輸出功率= 125 W,典型增益= 10 dB,效率= 55%(典型值)。
MRF1150MB射頻功率晶體管 - 硅雙極性設(shè)計(jì)用于短脈沖TACAN,IFF和DME發(fā)射器中的B類和C類共基極放大器應(yīng)用。保證性能@ 1090 MHz,50 Vdc - 輸出功率= 150 W峰值最小增益= 7.8 dB, MACOM現(xiàn)貨代理商熱銷。
MRF422主要設(shè)計(jì)用于2.0至30 MHz的高功率線性放大器,額定28 V,30 MHz特性:輸出功率= 150 W(PEP),效率= 40%,最小增益= 10 dB,100%測(cè)試所有相位天使的負(fù)載失配,具有30:1的VSWR, MACOM現(xiàn)貨
MRF429射頻功率晶體管主要設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設(shè)備。
PH1214-220M硅微波功率晶體管陶瓷封裝 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),密封金屬/陶瓷封裝,擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器,寬帶C類操作, 通用基本配置,MACOM現(xiàn)貨代理出售。
HMC641ALC4是一款寬帶反射GaAs pHEMT SP4T開關(guān),采用緊湊型4x4 mm陶瓷封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至20 GHz,具有高隔離、低插入損耗和片內(nèi)端接隔離端口。
HMC345ALP3E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP4T開關(guān),采用低成本無引腳表貼封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC245AQS16和HMC245AQS16E均為低成本反射式SP3T開關(guān),采用16引腳QSOP表貼封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz單刀四擲(SP4T)開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關(guān)提供43 dB(典型值)的高隔離度(2 GHz)、0.7 dB的低插入損耗(2 GHz)和片內(nèi)端接隔離端口。
HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為低成本通用型雙通道SPDT GaAs“旁路”開關(guān),采用8引腳MSOP封裝,頻率范圍為DC至2.5 GHz。 這四個(gè)RF端口部件將兩個(gè)SPDT開關(guān)和一條直通線集成到單個(gè)IC上
HMC641A是一款非反射式、單刀四擲(SP4T)開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關(guān)在0.1 GHz至18 GHz寬帶頻率范圍內(nèi)通常提供2.1 dB的低插入損耗和42 dB的高隔離度。
HMC574AMS8E是一款低成本SPDT開關(guān),采用8引腳MSOP封裝,適合于高射入功率電平下需要極低失真性能的發(fā)射/接收應(yīng)用。該器件可控制DC至3 GHz信號(hào),尤其適合蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)施、WiMAX和WiBro應(yīng)用,典型插入損耗僅為0.3 dB。
MRF448?射頻功率晶體管 硅雙極性?主要設(shè)計(jì)用于高壓應(yīng)用,作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于海洋和基站設(shè)備。若您有任何疑問,請(qǐng)聯(lián)系我們立維創(chuàng)展,我們會(huì)盡最大努力為您服務(wù)。
PH1214-300M密封金屬/陶瓷封裝NPN硅微波功率晶體管 ,內(nèi)部輸入和輸出阻抗匹配寬帶C類操作擴(kuò)散發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻器,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
MACOM現(xiàn)貨MRF141G專為頻率為175 MHz的寬帶商用和軍用應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該設(shè)備的高功率,高增益和寬帶性能對(duì)FM廣播或電視頻道頻段固態(tài)發(fā)射機(jī)和放大器特別有用。
NPTB00004A GaN HEMT是一款針對(duì)DC-6 GHz工作進(jìn)行了優(yōu)化的VHF / UHF / L波段雷達(dá)?寬帶晶體管。該器件采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝SOIC塑料封裝,設(shè)計(jì)用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為5W(37 dBm)。
NPA1008是一款寬帶集成GaN功率放大器,針對(duì)20 - 2700 MHz工作進(jìn)行了優(yōu)化。該放大器設(shè)計(jì)用于飽和和線性工作,輸出電平為5 W(37 dBm),采用無鉛4 x 4 mm 24引腳QFN塑料封裝。NPA1008非常適用于測(cè)試和測(cè)量,國(guó)防通信,陸地移動(dòng)無線電和無線基礎(chǔ)設(shè)施中的通用窄帶到寬帶應(yīng)用。
NPTB00025B射頻功率晶體管針對(duì)DC - 4000MHz的寬帶操作進(jìn)行了優(yōu)化,熱增強(qiáng)型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝100%射頻測(cè)試,特點(diǎn)適用于高達(dá)32V的工作電壓
HMC344ALP3E是一款寬帶、非反射式、單刀四擲(SP4T)開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)工藝制造。該開關(guān)具有高隔離、低插入損耗和片內(nèi)端接隔離端口。
HMC322ALP4E是一款寬帶非反射GaAs MESFET SP8T開關(guān),采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關(guān)還集成了片內(nèi)二進(jìn)制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條
ADI現(xiàn)貨HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T開關(guān),采用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率范圍為DC至3.0 GHz。 該開關(guān)提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。
HMC244AG16是一款非反射式SP4T開關(guān),采用16引腳玻璃/金屬(密封)封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至4 GHz,3 GHz范圍內(nèi)提供30至50 dB隔離和0.7 dB的低插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC986A是一款寬帶GaAs pHEMT MMIC單刀雙擲(SPDT)開關(guān)裸片。這款緊湊型開關(guān)采用反射式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),通過兩個(gè)互補(bǔ)輸入(0/-3V至0/-5V)控制。輸入信號(hào)為40 GHz時(shí),該器件具有19 dB回?fù)p、34 dB隔離,以及僅2.1 dB的插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC547ALC3是一款通用型寬帶高隔離非反射GaAs MESFET SPDT開關(guān),采用3x3 mm無引腳陶瓷表貼封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至28.0 GHz,在中頻段時(shí)具有高于40 dB的隔離度和小于2 dB的插入損耗。
ADI現(xiàn)貨HMC427ALP3E是一款低損耗寬帶正控制轉(zhuǎn)換開關(guān),采用無引腳表貼封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關(guān)采用0/+5V正控制電壓工作,所需固定偏置為+5V (< 20 μA)。
ADI現(xiàn)貨的HMC347A是一款寬帶非反射式GaAs pHEMT SPDT MMIC芯片。該開關(guān)頻率范圍為DC至20 GHz,具有高隔離和低插入損耗。由于采用了片內(nèi)通孔結(jié)構(gòu),該開關(guān)在較低頻率下具有超過52 dB的隔離度,在較高頻率下具有超過40 dB的隔離度。
HMC321ALP4E是一款寬帶非反射GaAs SP8T開關(guān),采用低成本無引腳表貼封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。該開關(guān)還集成了板載二進(jìn)制解碼電路,將所需邏輯控制線減至三條。
HMC612LP4(E)對(duì)數(shù)檢波器/控制器適合用來將頻率范圍為50 Hz至3 GHz的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸出端成比例的直流電壓。 HMC612LP4(E)采用連續(xù)壓縮技術(shù),在寬輸入頻率范圍內(nèi)具有極高的動(dòng)態(tài)范圍和轉(zhuǎn)換精度。