Qorvo的RFPA3800是一款單級(jí)GaAs HBT功率放大器,專(zhuān)為高功率,高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它也非常適合無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施線性功率放大器應(yīng)用。通過(guò)改變靜態(tài)偏置點(diǎn)和負(fù)載線,RFPA3800可以針對(duì)線性或飽和操作進(jìn)行優(yōu)化。
Qorvo的RFPA2545是一款寬帶GaAs HBT功率放大器,專(zhuān)為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款高性能單級(jí)放大器采用高度可靠的GaAs HBT技術(shù),可在寬頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的增益和超高線性度。它具有出色的后退特性,是超線性應(yīng)用的理想選擇。
Qorvo的RFPA2026是一款3級(jí)HBT功率放大器模塊,具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2026能夠針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超線性驅(qū)動(dòng)器放大器。用戶(hù)還可以繞過(guò)第一階段以降低增益和功耗。
QPM1002是一款氮化鎵MMIC前端模塊(FEM),專(zhuān)為8.5 - 10.5 GHz范圍內(nèi)的X波段雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。MMIC結(jié)合了T / R開(kāi)關(guān),低噪聲放大器和功率放大器。適合高功率國(guó)防AESA 雷達(dá)系統(tǒng)的 GaN X 頻段 FEM
QPM2637是一款氮化鎵MMIC前端模塊(FEM),專(zhuān)為9-10.5 GHz范圍內(nèi)的國(guó)防?X波段雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。MMIC結(jié)合了T / R開(kāi)關(guān),低噪聲放大器和功率放大器。
QPF4006是一款多功能氮化鎵MMIC前端模塊,適用于39GHz相控陣5G基站和終端。該器件結(jié)合了低噪聲高線性度LNA,低插入損耗高隔離度TR開(kāi)關(guān)和高增益高效率多級(jí)PA。
Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W(P3dB)分立GaN,L 頻段1800W雙通道射頻晶體管,非常適用于IFF,航空電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該器件可以支持CW和脈沖操作。工作頻率范圍為1.0至1.1 GHz。
QPA9120是一款寬帶,高增益,高線性度驅(qū)動(dòng)放大器,QPA9120旨在用作無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的前置驅(qū)動(dòng)放大器,其中需要高線性度,中等射頻功率和高效直流電源操作。該器件是5G密集陣列m-MIMO無(wú)線電應(yīng)用的絕佳選擇。
QPA4501是一款集成的2級(jí)功率放大器模塊,設(shè)計(jì)用于器件輸出高達(dá)3 W RMS的5G大規(guī)模MIMO應(yīng)用。QPA4501采用Doherty最終級(jí),為整個(gè)模塊提供高功率附加效率,平均功率高達(dá)3 W。
Qorvo的5G射頻QPB9329是一款高度集成的前端模塊,適用于TDD基站及5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng)。開(kāi)關(guān)LNA模塊在雙通道配置中集成了兩級(jí)LNA和高功率開(kāi)關(guān)。第二級(jí)LNA能夠進(jìn)入旁路模式。
Doherty放大器QPB9319是一款高度集成的前端模塊,適用于TDD基站。開(kāi)關(guān)LNA模塊在雙通道配置中集成了兩級(jí)LNA和高功率開(kāi)關(guān)。主要應(yīng)用于5G無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施,5G,4.5G,5G大規(guī)模MIMO系統(tǒng) ,基于TDD的架構(gòu)基站等。
Qorvo的RFPA2016是一款3級(jí)HBT功率放大器模塊,具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2016能夠針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超線性驅(qū)動(dòng)器放大器。
Qorvo的RFPA2013是一款專(zhuān)為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計(jì)的單級(jí)GaAs HBT功率放大器。它以相對(duì)較低的直流功率提供超線性操作,使其成為需要高效率的下一代無(wú)線電的理想選擇。
Qorvo的RFPA1545是一款單級(jí)GaAs HBT功率放大器,專(zhuān)為高功率,高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它也非常適合無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施線性驅(qū)動(dòng)放大器應(yīng)用。FPA1545可針對(duì)150MHz至1000MHz范圍內(nèi)的子頻段進(jìn)行線性或飽和操作進(jìn)行優(yōu)化。
Qorvo的RFPA1012是一款專(zhuān)為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施高線性度應(yīng)用而設(shè)計(jì)的GaAs HBT線性功率放大器。這款高性能單級(jí)放大器采用高度可靠的GaAs HBT制造工藝,可在寬頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)超高線性度。
Qorvo的RFGA2054是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA2054的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接從5V電源工作,并提供穩(wěn)定的電流溫度和過(guò)程Beta變化。
Qorvo的RFGA2044是一款高性能InGaP HBT MMIC驅(qū)動(dòng)放大器。RFGA2044的內(nèi)部有源偏置電路允許放大器直接在5V電源下工作,并提供穩(wěn)定的電流溫度和過(guò)程Beta變化。該達(dá)林頓放大器內(nèi)部匹配至50歐姆,非常適合需要占用空間小和外部元件極少的應(yīng)用。
MACOM的MA4AGSW1A是一種鋁鎵砷單極單擲(SPST)吸收式PIN二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型AlGaAs陽(yáng)極,采用MACOM專(zhuān)利的異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與使用傳統(tǒng)GaAs工藝制造的器件相比,AlGaAs技術(shù)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗更小。
MACOM的MA4AGSW1是一種鋁鎵砷單極單擲(SPST)PIN二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型Al-GaAs陽(yáng)極,采用MACOM專(zhuān)利的異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。該技術(shù)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗小于傳統(tǒng)的AlGaAs工藝。在50GHz時(shí),可以實(shí)現(xiàn)0.3dB的插入損耗降低。
MACOM的MAATCC0011是一款具有集成TTL驅(qū)動(dòng)器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長(zhǎng)為0.5 dB,總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0011非常適用于要求精度,速度快,功耗極低和成本低的場(chǎng)合。
MACOM的MAATCC0010是一款具有集成TTL驅(qū)動(dòng)器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長(zhǎng)為1.0 dB,總衰減范圍為31 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0010非常適合用于需要精度,快速,極低功耗和低成本的場(chǎng)合。
MACOM的MAATCC0009是一款具有集成TTL驅(qū)動(dòng)器的GaAs FET 6位數(shù)字衰減器。步長(zhǎng)為0.5 dB,總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用PQFN塑料表面貼裝封裝。MAATCC0009非常適用于要求精度,速度快,功耗極低和成本低的場(chǎng)合。
MACOM的MAATCC0008是一款GaAs FET 4位數(shù)字衰減器,最小步長(zhǎng)為1.0 dB,總衰減范圍為15 dB。該器件采用SOIC-16塑料表面貼裝封裝。MAATCC0008非常適用于要求精度,速度快,功耗極低和成本低的場(chǎng)合。
MACOM的MAATCC0007是一款具有集成TTL驅(qū)動(dòng)器的GaAs FET 5位數(shù)字衰減器。步長(zhǎng)為1.0 dB,總衰減范圍為31 dB。該器件采用SOW-16塑料表面貼裝封裝。MAATCC0007非常適用于要求精度,速度快,功耗極低和成本低的場(chǎng)合。
MACOM的MAATCC0006是一款GaAs FET 4位數(shù)字衰減器,最小步長(zhǎng)為2.0 dB,總衰減范圍為30 dB。該器件采用SOIC-16塑料表面貼裝封裝。MAATCC0006非常適用于要求精度,速度快,功耗極低和成本低的場(chǎng)合。
MACOM的MAATCC0005是一款GaAs FET 6位數(shù)字衰減器,最小步長(zhǎng)為0.5 dB,總衰減范圍為31.5 dB。該器件采用SOIC-24寬體塑料表面貼裝封裝。MAATCC0005非常適合需要精度,速度快,功耗極低和成本低的場(chǎng)合。
MAAD-011021是一款寬帶6位數(shù)字衰減器,覆蓋直流至30 GHz。衰減比特值為0.5 dB LSB(最低有效位),1,2,4,8和16 dB,總衰減為31.5 dB。衰減誤差通常小于+/- 0.5 dB,RMS相位誤差在20 GHz時(shí)小于5度,典型插入損耗在15 GHz時(shí)為7.2 dB。
MACOM的AT-283-PIN是一款GaAs FET 5位數(shù)字衰減器,最小步長(zhǎng)為0.5 dB,總衰減為15.5 dB。該衰減器和集成TTL驅(qū)動(dòng)器采用密封陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT-283-PIN非常適用于需要精度,快速切換,極低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場(chǎng)合
MACOM的AT-233-PIN是一款GaAs FET 4位數(shù)字衰減器,最小步長(zhǎng)為2 dB,總衰減為30 dB。該衰減器和集成TTL驅(qū)動(dòng)器采用密封陶瓷16引腳表面貼裝封裝。AT-233-PIN非常適用于需要精度,快速切換,極低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場(chǎng)合。
MACOM的AT-107-PIN是一款GaAs FET 6位數(shù)字衰減器,最小步長(zhǎng)為0.5 dB,總衰減為31.5 dB。該衰減器和集成TTL驅(qū)動(dòng)器采用密封?陶瓷24引腳表面貼裝封裝。AT-107-PIN非常適用于需要精度,快速切換,極低功耗和低互調(diào)產(chǎn)品的場(chǎng)合。