產(chǎn)品詳情介紹
CGH21120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率、高增益和寬帶能力而設(shè)計(jì),這使得CGH21120F非常適合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
?1.8-2.3 GHz操作
?15 dB增益
?-35 dBc ACLR,20W路面
?20W鋪面時(shí)35%的效率
?可采用高度DPD校正
重要參數(shù)
CGH21120F大功率寬帶氮化鎵
功率120W
1.8-2.3GHz
增益15dB
效率35%@20W Pave
現(xiàn)貨庫存
產(chǎn)品詳情介紹
CGH21120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率、高增益和寬帶能力而設(shè)計(jì),這使得CGH21120F非常適合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
?1.8-2.3 GHz操作
?15 dB增益
?-35 dBc ACLR,20W路面
?20W鋪面時(shí)35%的效率
?可采用高度DPD校正